工作原理：
晶體硅太陽電池中少數載流子的復合導致了光生載流子的損失，從而引起電池效率的降低。如果在硅表面加一層氧化層，硅與氧化層之間的內表面上絕大部分硅原子的未飽和鍵將被氧化層中的原子所填補，因而降低表面態密度。SiO2層可以有效地減少表面態，減少表面復合，從而起到鈍化作用。由于短波長光在電池的上表面很淺的薄層內有很大的吸收，因此為了更好地降低電池的上表面復合速率，提高電池的短波響應，同時考慮SiO2的表面鈍化特性以及PECVD法沉積SiNx良好的減反射以及體鈍化特點，可采用硅片表面先生長一層SiO2薄膜，然后在SiO2薄膜上再生長一層SiNx的工藝，這樣也可克服SiNx直接沉積于硅片所產生的附著力差，容易脫落的問題。該工藝具有卓越的抗氧化和絕緣性能，以及良好的阻擋鈉離子、掩蔽金屬和水蒸氣擴散的能力。
常規制備 SiO2時需要高溫條件，長時間的高溫條件易使質量較差的單晶及多晶硅襯底產生缺陷，導致硅片少子壽命的下降，并引起襯底摻雜濃度的再分布。許多有害雜質也會在高溫條件下擴散到硅片體內。本晶體硅電池片光氧化系統配置了新型準分子紫外光源，能發射高能單色真空紫外光子，作用于氧氣分子產生活性氧原子，能實現在傳統紫外光源下難以實現的化學反應，光氧化速率比用低壓汞燈紫外光的快10倍以上。生成的膜質量可與熱生長的SiO2膜的質量比擬。
獨特優勢：
□ 新型準分子真空紫外光處理技術；
□ 高效快速氧化，適于電池片規模量產；
□ 低溫大面積加工過程，無損處理技術；
□ 工件可在大氣中進行處理，便于生產線作業；
□ 光源可瞬間開啟和熄滅，節省工藝時間；
□ 可同時清除晶體硅表面的碳和有機污染物；
□ 安裝角度靈活方便，操作使用簡單；
□ 保證產品的高可靠性和高成品率；
□ 產品表面處理的均勻一致;
□ 干式工藝，無溶劑揮發及廢棄溶劑的處理問題；
主要技術指標：
晶體硅電池片光氧化系統
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